3446 碳化硅(SiC)单晶片 - 单晶片 - 实验室耗材 - 实验室仪 - 产品分类 - 上海淞涵精密设备科技有限公司
网站地图 设为首页 加入收藏

联系我们

您的位置:网站首页产品分类实验室仪实验室耗材单晶片
产品名称:碳化硅(SiC)单晶片
产品编号:SL2005001
产地:中国

技术参数:

 晶胞结构  六方
 晶格常数  a =3.08 Å       c = 15.08 Å
 排列次序  ABCACB (6H)
 生长方法  MOCVD
 方向  生长轴或 (0001) 3.5°
 抛光  Si面抛光
 带隙  2.93 eV (间接)
 导电类型  N
 电阻率  0.076 ohm-cm
 介电常数  e(11) = e(22) = 9.66     e(33) = 10.33
热导率@300K  5 W / cm . K
 硬度  9.2 Mohs
产品规格:

6H N型
4H N型
半绝缘
dia2”x0.33mm,  dia2”x0.43mm,10x10mm,10x5mm
单抛或双抛,Ra<10A

注:也可根据客户需求定制相应的方向和尺寸

标准包装: 1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

全国免费咨询电话/Tel:400-066-5716或021-65658708     地址:上海市杨浦区国权路525号复华大厦副楼203、206室
CopyRight © 2010  上海淞涵精密设备科技有限公司 沪ICP备19012502号-1 E-mail:cnshsh@126.com